硅雪崩光電探測(cè)器
該模塊采用材料硅的雪崩光電二極管進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換，所以對(duì)波長(zhǎng)范圍為400-1100nm的光極其靈敏，模塊采用空間光耦合，能夠探測(cè)到低至nW級(jí)功率的弱光，同時(shí)還擁有200M的帶寬。該模塊也跟國(guó)外進(jìn)口對(duì)應(yīng)型號(hào)的模塊對(duì)比，參數(shù)性能幾乎一致，常被用于各種nW級(jí)的弱光信號(hào)探測(cè)場(chǎng)景，也被用在一些激光雷達(dá)，分析儀器上。
型 號(hào)：APD430A-200M
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mw, dbm功率計(jì)算器
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| 屬性 | APD430A-200M | APD430C-200M |
|---|---|---|
| 材料 | Si | InGaAs |
| 光譜范圍 | 400-1100nm | 800-1700nm |
| 輸入接口 | 自由空間光（FC選配） | 自由空間光（FC選配） |
| 光敏面直徑 | 230um | 200um |
| 響應(yīng)度 | 55A/W @ 905nm (M = 100) | 18A/W @ 1550nm (M = 20) |
| 帶寬 | DC-200MHz | DC-200MHz |
| 上升時(shí)間 | 1.8ns | 1.8ns |
| 最大增益@HiZ | 1.2x10^6V/W | 4x10^5V/W |
| 綜合噪聲 | 7nW(RMS) | 21nW(RMS) |
| 飽和功率 | 2.5uW | 7.5uW |
| 噪聲電壓@50歐負(fù)載 | <12mVpp | <12mVpp |
| 最大輸出電壓@HiZ | 3.0V | 3.0V |
| 工作電壓 | 5VDC ±10% | 5VDC ±10% |
| 工作電流 | <200mA | <200mA |
| 輸出接頭 | SMA | SMA |
| 輸出阻抗 | 50Ω | 50Ω |
| 輸出耦合方式 | DC | DC |
| 工作溫度 | -20~60℃ | -20~60℃ |
| 存儲(chǔ)溫度 | -40~85℃ | -40~85℃ |
| 外形尺寸 | 60mm x 50mm x 32mm（長(zhǎng)x寬x厚） | 60mm x 50mm x 32mm（長(zhǎng)x寬x厚） |
響應(yīng)曲線
外形尺寸
