光電二極管同樣基于ＰＮ結(jié)的光伏效應(yīng)，與光電池相比， 主要特點(diǎn)是結(jié)區(qū)面積小，通常工作與反偏置狀態(tài)。其內(nèi)建 電場(chǎng)很強(qiáng)，結(jié)區(qū)較寬，結(jié)電容小，所以頻率特性比光電池 好，但光電流比光電池的小，一般多在微安級(jí)。這類器件 可用硅，鍺，砷化銦，碲鎘汞等材料制作，目前應(yīng)用最多 的是硅光電二極管。

種類 1）PN結(jié)光電二極管 ２）PIN結(jié)光電二極管 3）雪崩光電二極管（APD）

PN結(jié)光電二極管

按光敏面和襯底材料所用的材料不同，分為2CU和2DU兩種系 列。 2DU系列光敏面為N型硅，襯底為P型硅，2CU系列相反。 2DU系列有三條引出線，除了前極、后極外，還設(shè)了一個(gè)環(huán)極 （減少暗電流和噪聲，提高探測(cè)能力）。2CU系列兩個(gè)引出 線。

PIN型光電二極管

PN結(jié)型光電二極管響應(yīng)時(shí)間只能達(dá)到 ，滿足不了光纖系 統(tǒng)的響應(yīng)時(shí)間要求（ ），PIN結(jié)型光電二激光就是為滿足 這一要求而研制。 PIN光電二極管（快速光電二極管），與PN結(jié)光電二極管相 比，具有更快的響應(yīng)時(shí)間，并使光譜響應(yīng)范圍向長波方向移 動(dòng)，其峰值波長可移至1.04~1.06 ，與YAG激光器的發(fā)射波 長相對(duì)應(yīng)。

雪崩二極管(APD:Avalanche Photodiode)

由于普通光電二極管產(chǎn)生的電流微弱，進(jìn)行放大和處理時(shí)會(huì)引 入放大器噪聲，雪崩光電二極管就是為解決這一問題而產(chǎn)生。 雪崩光電二極管（APD）是利用光生載流子在高電場(chǎng)區(qū)內(nèi)的雪 崩效應(yīng)而獲得光電增益，產(chǎn)生較大的輸出電流，具有靈敏高， 響應(yīng)快等優(yōu)點(diǎn)。在光纖通信、激光測(cè)距及光纖傳感等系統(tǒng)中得 到了廣泛應(yīng)用。 APD的性能與入射光功率有關(guān)，在實(shí)際探測(cè)系統(tǒng)中，當(dāng)入射光 功率較小時(shí)，多采用APD，此時(shí)雪崩增益引起的噪聲貢不大。 當(dāng)入射光功率較大時(shí)，雪崩增益引起的噪聲貢獻(xiàn)占主要優(yōu)勢(shì)， 并可能帶來光電流失真，采用PIN管更為恰當(dāng)。